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半导体行业深度专题之六:技术迎变革,新型存储器助中国弯道超车

发布时间:2016-08-26    研究机构:招商证券

半导体存储器行业迎来变革,传统的DRAM和NAND技术遇到瓶颈,新型存储器迎来发展机遇。中国近期投入巨资发展存储器产业,新型存储器成为弯道超车的最佳选择。继此前《国家战略》/《智能终端》/《投资地图》/《物联网》/《设备和材料》五篇前瞻性半导体深度专题后,我们首次深度分析了新型存储器的发展机遇和投资机会,重点推荐紫光国芯、兆易创新、华天科技、深科技、七星电子、上海新阳、兴森科技(002436)、南大光电、太极实业。

传统半导体存储器技术遇瓶颈,新型存储器迎发展机遇,重点关注3DNAND/DRAM、3DXpoint和PCRAM。传统的DRAM和Flash存储器在速度上无法满足CPU的要求,且平面NAND和DRAM技术进入1x纳米制程存在技术和经济效益瓶颈。而3DNAND、3DXpoint、PCRAM等新型存储器在性能、成本等多方面有优势,且技术日臻成熟,部分新型存储器已经开始量产。三星年内将量产64层3DNAND,英特尔和美光也将于今年底或明年量产全新的3DXpoint存储器。在新型存储器中,结合性能和研发进度,我们认为3DNAND/DRAM、3DXpoint和PCRAM最值得关注。

半导体存储器市场规模近800亿美元,呈寡头垄断局面。2015年全球半导体存储器的销售额为772亿美元,在半导体市场的占比为23%,其中DRAM、NAND、NOR存储器的销售额分别为约410亿、300亿、30亿美元。三星,海力士和美光三家垄断了95%的DRAM市场,三星、东芝/闪迪、美光、海力士四家垄断了99%的NAND市场,前6大厂家垄断90%的NOR市场。

紫光联手武汉新芯,加快存储器产业发展。发展存储器的战略和经济意义重大,中国大陆发展存储器的决心十分坚定。7月26日紫光集团联合武汉新芯成立长江存储,打造存储器国家队。紫光集团的资本优势和武汉新芯的技术优势相结合,集中优势资源发展存储器,将加快我国存储器产业的发展。

新型存储器成为我国存储器产业弯道超车的最佳选择。存储器行业门槛高,我国在传统的存储器方面落后太多,很难在短期内赶超国外同行。而在新型存储器方面,国内与海外差距相对较小,例如我国拥有自主知识产权的PCRAM技术已经取得突破,用于打印机的PCRAM存储器芯片年出货量超过千万颗。因此,发展具备自主知识产权的新型存储器有望实现弯道超车。

投资建议。半导体存储器拥有800亿美元的市场空间,国内产业链上相关公司有望受益,重点推荐紫光国芯、兆易创新、华天科技、深科技、七星电子、上海新阳、兴森科技、南大光电、太极实业。

风险提示:存储器投资进度不及预期,新型存储器量产进度不及预期等。

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