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半导体行业:投入3D NAND FLASH,具备弯道超车机遇

发布时间:2016-03-22    研究机构:兴业证券

投资要点

事件:据媒体报道,武汉新芯将建新存储厂,新厂将落户于武汉东潮新技术开发区,投资总金额高达240亿美元,动土仪式就落在3月28日,目标最快在2018年年初开始生产。资金由国家集成电路产业投资基金股份有限公司、湖北省集成电路产业投资基金股份有限公司、国开发展基金有限公司、湖北省科技投资集团有限公司共同解决。

瞄准3DNANDFLASH,具备弯道超车机会:新厂将以3DNANDFLASH的生产为主,根据测算240亿美元的投资金额预计对应20-30万片12寸3DNANDFLASH的产能。我们认为公司布局3DNANDFLASH而不是DRAM是明智之举,具备弯道超车机会。

项目不断落地,坚定看好中国半导体产业发展:根据赛迪顾问的数据,2014年,中国芯片市场规模达到10393.1亿元,占全球芯片市场的50.7%。其中存储芯片市场规模达到2465.5亿元,占国内市场比重23.7%,其比重超过CPU、手机芯片。然而,中国存储芯片产业基本空白,几乎100%依赖进口。

自大基金成立以来,中国半导体产业迎来了一轮并购整合,加速追赶的浪潮。同方国芯800亿的定增引燃了半导体投资的热潮,此次武汉新芯240亿美元的投资坚定了我们对国家战略投入半导体的信心,我们坚定看好中国半导体产业的发展。

存储芯片项目,对国内产业链上下游均有重大促进作用:对上游而言,存储芯片项目投产后将新增大量12寸硅晶圆需求,对国家大硅片项目以及半导体化学品具有利好,上海新阳和兴森科技(002436)有望受益。对中游而言,华天科技在2015年2月13日与武汉新芯签署了战略合作协议,有望受益。对下游而言,国内手机、平板等终端厂商,以及华为、浪潮等通信设备及服务器厂商,将获得更可靠的产品和更便利的服务。

风险提示:存储芯片工厂建设风险,市场环境恶化。

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